米勒效應是三極管工作中常見的一種作用現象，然而，MOS管中由于門極和漏極間存在米勒電容，則會影響整體的開啟時間。

那么問題來了：遇到這種情況，在柵極和源極間并聯一個小電容有沒有效果？在什么情況下才考慮米勒電容？米勒電容影響的時間怎么計算？就讓專業半導體廠家告訴你，遇到米勒效應電容時你應該怎么處理。

半導體廠家——飛虹為您介紹，米勒電容不是個實在存在MOSFET中的電容，它是由MOSFET棚漏極間的電容反映到輸入（即棚源間）的等效電容。由米勒定理可知，這個等效電容比棚漏間的實際電容要大許多，隨增益變化，而由該效應所形成的等效電容稱為米勒電容。由此可見，在棚源極間并一個電容無助于減小米勒電容，反之更會降低MOSFET的開啟速度，增加開通關斷時間。

所以，正確的處理方式是在關斷感性負載時，MOS管如果驅動電路內阻不夠小，可以在MOS的GS間并聯一個適當的電容，而不是并聯一個越小越好的電容。這樣做可以防止關斷時因米勒電容影響出現的漏極電壓塌陷。

至于遇到了MOS管米勒效應電容后如何計算的問題，工程師們可以查詢數據手冊中的Cgd，然后根據具體電路的電壓增益計算。一般情況下，功率MOS管往往給出一定條件下管子開通所需要的電量和充電曲線，可以作為驅動設計的參考。

綜上所訴，MOS管工程師在進行測試的過程中，一旦遇到米勒效應電容問題，首先要依據查詢數據手冊進行計算，在估算出電容數值后選取適當電容進行電路系統修改調整。除此之外，依據米勒定理進行合理運用，也是能夠幫助工程師讀懂波紋并找出問題的關鍵所在。廣州飛虹，主要研發、生產、經營：場效應管、三極管等半導體器件，更多關于半導體資訊和合作，敬請關注聯系我們。